晶閘管電參數(shù)

晶閘管電參數(shù)

   晶閘管的重要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降 VF、通態(tài)平均電流IT、門(mén)極觸發(fā)電壓VG、門(mén)極觸發(fā)電流IG、門(mén)極反向電壓和保持電流IH等。

    (一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO

    晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門(mén)極(G)開(kāi)路的條件下，在其陽(yáng)極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)所對(duì)應(yīng)的峰值電壓。

    (二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM

    斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時(shí)，容許加在A(yíng)、K(或T1、T2)極間 大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值。

    (三)晶閘管通態(tài)平均電流IT

    通態(tài)平均電流IT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，晶閘管正常工作時(shí)A、K(或T1、T2)極間所容許通過(guò)電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR

    反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下，晶閘管陽(yáng)極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當(dāng)其反向漏電電流急劇增長(zhǎng)時(shí)反對(duì)應(yīng)的峰值電壓。

    (五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM

    反向重復(fù)峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門(mén)極G斷路時(shí)，容許加在A(yíng)、K極間的 大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。

    (六)晶閘管正向平均電壓降VF

    正向平均電壓降VF也稱(chēng)通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，當(dāng)通過(guò)晶閘管的電流為額定電流時(shí)，其陽(yáng)極A與陰極K之間電壓降的平均值，通常為0.4~1.2V。

    (七)晶閘管門(mén)極觸發(fā)電壓VGT

    門(mén)極觸發(fā)VGT，是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽(yáng)極與陰極之間為必定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的 小門(mén)極直流電壓，一般為1.5V左右。

    (八)晶閘管門(mén)極觸發(fā)電流IGT

    門(mén)極觸發(fā)電流IGT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽(yáng)極與陰極之間為必定值電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的 小門(mén)極直流電流。

    (九)晶閘管門(mén)極反向電壓

    門(mén)極反向電壓是指晶閘管門(mén)極上所加的額定電壓，一般不超過(guò)10V。

    (十)晶閘管保持電流IH

    保持電流IH是指保持晶閘管導(dǎo)通的 小電流。當(dāng)正向電流小于IH時(shí)，導(dǎo)通的晶閘管會(huì)主動(dòng)關(guān)斷。

    (十一)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR

    斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR，是指晶閘管在斷態(tài)下的正向 大平均漏電電流值，一般小于100μA

    (十二)晶閘管反向重復(fù)峰值電流IRRM

    反向重復(fù)峰值電流IRRM，是指晶閘管在關(guān)斷狀態(tài)下的反向 大漏電電流值，一般小于100μA。