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晶體管的代換原則

作者：佚名來(lái)源：本站整理發(fā)布時(shí)間：2012-09-15-01:23:49 標(biāo)簽：

晶體管的置換（代換）原則

在維修、設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)或試制中，常常會(huì)碰到晶體管的代換問(wèn)題。如果把持了晶體管的置換（代換）原則，就能使工作初有成效。其置換（代換）原則可劃分為三種：即類型雷同、特點(diǎn)相近、外形類似。

一、類型雷同

1.材料雷同。即鍺管換鍺管，硅管換硅管。

2.極性雷同。即NPN型管換NPN型管，PNP型管換PNP型管。

　 3.實(shí)際型號(hào)一樣，標(biāo)注方法不同，如：D1555同2SD1555;R1201同GR1201;3DG9014同9014；貼片管用代號(hào)來(lái)代表原型號(hào)等。但不排除同一型號(hào)因?yàn)樯a(chǎn)廠家的不同，參數(shù)差別極大的情況。

二、特點(diǎn)相近

用于置換（代換）的晶體管應(yīng)與原晶體管的特點(diǎn)要相近，它們的重要參數(shù)值及特點(diǎn)曲線應(yīng)相差不多或優(yōu)于原管，對(duì)于不同的電路，應(yīng)有所著重。一般來(lái)說(shuō)，只要下述重要參數(shù)相近，即可滿足置換（代換）懇求。

1.集電極大直流耗散功率(Pcm)

一般懇求用Pcm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換（代換）。如果原晶體管在整機(jī)電路中實(shí)際直流耗散功率遠(yuǎn)小于其Pcm，也可以用Pcm較小的晶體管置換（代換）。

2.集電極大容許直流電流（Icm）

一般懇求用Icm與原管相等或較大的晶體管進(jìn)行置換（代換）。

實(shí)際不同廠家關(guān)于Icm的規(guī)定有所不同，有時(shí)差別很大，我們要注意到廠家給出的測(cè)試條件。常見的有以下幾種：

⑴根據(jù)集電極引線容許通過(guò)的大電流值斷定Icm。這個(gè)數(shù)值可能很大，例如，一只Pcn=200mW的晶體管，其Icm可能會(huì)超過(guò)1A。

⑵根據(jù)Pcm斷定Icm，即Pcm=Icm×Uce斷定Icm。這個(gè)規(guī)定下的Pcm值比普通晶體管較小，比開關(guān)管較大，例如Pcm都是10W的普通晶體管2SC2209和開關(guān)管2SC2214，其Icm值卻分辨為1.5A和4A。

⑶根據(jù)晶體管參數(shù)（飽和壓降、電流放大系數(shù)等）容許變更的極限值斷定Icm。例如3DD103A晶體管的Icm是按其β值降落到實(shí)測(cè)值的1/3時(shí)斷定的（Icm=3A）。

3.擊穿電壓

用于置換（代換）的晶體管，必須能夠在整機(jī)中安全地遭遇高工作電壓。晶體管的擊穿電壓參數(shù)重要有以下5個(gè)：

⑴BVcbo：集電極-基極擊穿電壓。它是指發(fā)射極開路，集電極電流Ic為規(guī)定值時(shí)，集電極-基極間的電壓降（該電壓降稱為對(duì)應(yīng)的擊穿電壓，以下的雷同）。

⑵BVceo：集電極-發(fā)射極擊穿電壓。它是指基極開路，集電極電流Ic為規(guī)定值時(shí)，集電極-發(fā)射極的電壓降。

⑶BVces：基極-發(fā)射極短路，集電極-發(fā)射極的擊穿電壓。

⑷BVcer：基極-發(fā)射極串聯(lián)電阻，集電極-發(fā)射極的電壓降。

⑸BVebo：集電極開路，發(fā)射極-基極的擊穿電壓。

在晶體管置換（代換）中，重要考慮BVcbo和BVceo，對(duì)于開關(guān)晶體管還應(yīng)考慮BVebo。一般來(lái)說(shuō)，同一晶體管的BVcbo＞BVceo。通常懇求用于置換（代換）的晶體管，其上述三個(gè)擊穿電壓應(yīng)不小于原晶體管對(duì)應(yīng)的三個(gè)擊穿電壓。

4.頻率特點(diǎn)

晶體管頻率特點(diǎn)參數(shù)，常用的有以下4個(gè)：

⑴特點(diǎn)頻率fT：它是指在測(cè)試頻率足夠高時(shí)，使晶體管共發(fā)射極電流放大系數(shù)β=1時(shí)的頻率。

⑵β截止頻率fβ：在共發(fā)射極電路中，輸出端交換短路時(shí)，電流放大系數(shù)β值，降落到低頻（1kHz）β值70.7%（3dB）時(shí)的頻率。

⑶α截止頻率fα：在共基極電路中，輸出端交換短路時(shí)，電流放大系數(shù)α值降落到低頻（1kHz）β值70.7%（3dB）時(shí)的頻率。

⑷ 高振蕩頻率fmax：當(dāng)晶體管的功率增益為1時(shí)的工作頻率。

在置換（代換）晶體管時(shí)，重要考慮fT與fβ。通常懇求用于置換的晶體管，其fT與fβ應(yīng)不小于原晶體管對(duì)應(yīng)的fT與fβ。半導(dǎo)體管有高頻管和低頻管之分，晶體管ft低于3M為低頻管，場(chǎng)效應(yīng)管低于303MH,反之，為高頻管。

5.其他參數(shù)

除以上重要參數(shù)外，對(duì)于一些特別的晶體管，在置換（代換）時(shí)還應(yīng)考慮以下參數(shù)：

⑴對(duì)于低噪聲晶體管，在置換（代換）時(shí)應(yīng)當(dāng)用噪聲系數(shù)較小或相等的晶體管。

⑵對(duì)于具有主動(dòng)增益把持性能的晶體管，在置換（代換）時(shí)應(yīng)當(dāng)用主動(dòng)增益把持特點(diǎn)雷同的晶體管。

⑶對(duì)于開關(guān)管，在置換（代換）時(shí)還要考慮其開關(guān)參數(shù)，是否是帶有內(nèi)置電阻。