內(nèi)存隨著電腦數(shù)據(jù)總線寬度的增加，電腦對內(nèi)存數(shù)據(jù)線的寬度要求也不斷提高。內(nèi)存數(shù)據(jù)線的寬度從早期的1bit提高到4bit、8bit、32bit和目前的64bit。內(nèi)存接插形式也經(jīng)歷了DIP內(nèi)存、SIMM內(nèi)存和DIMM內(nèi)存時代。

    1、DIP內(nèi)存 DIP內(nèi)存即普通雙列直插內(nèi)存芯片，主要應用于數(shù)據(jù)寬度為8bit的Apple機、PC機、PC/XT機時代。DIP內(nèi)存直接焊接在主板上或插在主板的DIP插座上，早期的DIP僅有1bit數(shù)據(jù)，需以9片為一組安裝，其中8片為數(shù)據(jù)位，一片為校驗位。

    2、SIMM內(nèi)存 SIMM（Single-InLineMemoryModule），單邊接插內(nèi)存模塊。SIMM內(nèi)存是一條焊有多片內(nèi)存芯片的印刷電路板，插在主板內(nèi)存插槽中，它分30線SIMM和72線SIMM兩種類型。 30線SIMM內(nèi)存條誕生于286時代，有8bit數(shù)據(jù)位（部分另加有1位校驗位）。對16bit數(shù)據(jù)總線的286、386SX主板均以兩條為一組安裝，對32bit數(shù)據(jù)總線的386DX、486主板則需以四條為一組安裝，30線內(nèi)存條常見容量有256KB、1MB和4MB。 72線SIMM內(nèi)存條誕生于486時代后期，有32bit數(shù)據(jù)位。對32bit數(shù)據(jù)總線的486主板，可以一條為一組安裝；對有64bit內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的586主板，需以二條為一組安裝。72線內(nèi)存條常容量有4MB、8MB、16MB和32MB。 

    3、DIMM內(nèi)存 DIMM（DualIn-LineMemoryModule）雙邊接插內(nèi)存模塊。主板上的DIMM內(nèi)存插槽兩邊均有金屬引腳線，每邊84線雙邊共有84*2=168條引腳，故而常稱其為168線內(nèi)存條。 168線DIMM內(nèi)存條有64bit數(shù)據(jù)位，在586級主板上安裝一條即能工作。目前大多主板均采用DIMM內(nèi)存條。168線內(nèi)存條的常見容量有32MB、64MB、128MB。

    技術(shù)的發(fā)展歷程

    作為電腦主存儲器的DRAM存儲器問世以來，存儲器制造技術(shù)也不斷在提高,先后出現(xiàn)了FPMDRAM、EDODRAM、BEDODRAM、SDRAM、DDRDRAM、RambusDRAM等多種存儲器，主要技術(shù)向高集成度、高速度、高性能方向發(fā)展。

    FPMDRAM：又叫快頁內(nèi)存，是傳統(tǒng)DRAM的改進型產(chǎn)品，在Intel286、386時代很流行。其主要特點是采用了不同于早期DRAM的列地址讀出方式，以30pin的FPMDRAM為例，每秒刷新率可以達到幾百次，在當時是非常驚人的，從而提高了內(nèi)存的傳輸速率。但由于FPMDRAM使用了同一電路來存取數(shù)據(jù)的方式，因此也帶來一些弊端，例如FPMDRAM在存取時間上會有一定的時間間隔，而且在FPMDRAM中，由于存儲地址空間是按頁排列的，因此當訪問到某一頁面后，再切換到另一頁面會占用額外的時鐘周期。

    在Intel286、386時代，我們常�？梢钥吹揭粔KPCB電路板上有著2至3枚雙排針腳的內(nèi)存芯片，容量只有1MB或2MB，因此可以說早期的FPM內(nèi)存容量是非常低的，這樣的容量擺到現(xiàn)在看來，幾乎是不可想象的，但當時就是這樣，能有4MB內(nèi)存的電腦已是極高的配置了。進入Intel486時代以后，電腦的各個部分也都在飛速發(fā)展著，從電腦內(nèi)部總線到操作系統(tǒng)沒有一處不在發(fā)生著變化。至此大容量內(nèi)存的發(fā)展由此進入快車道。新的FPMDRAM內(nèi)存開始采用72pin接口，由4/8顆內(nèi)存芯片組成的4MB、8MB、16MB容量內(nèi)存條逐漸大量面世，到了后期，32MB內(nèi)存也漸露身影，按理說72pinSIMMFPM是32bit產(chǎn)品，比30pinSIMMFPM性能更好些，但當時72pinSIMMFPM價格相對較高，個人用戶考慮價格問題減緩了新品的推廣。至此，內(nèi)存的類型也開始發(fā)生新的變化。

    EDODRAM：一種被稱為EDO的采用新的尋址方式的內(nèi)存開始流行。EDO內(nèi)存（ExtendedDAtaOut）也稱“擴展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存”。它的工作原理基本與FPMDRAM類似，取消了擴展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔，可在把數(shù)據(jù)發(fā)給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通的DRAM快出15%~30%。EDODRAM的工作電壓是5V，帶寬32bit，其接口方式多為72pin的SIMM類型，但也有168pin的DIMM類型。由于Pentium及其以上級別系統(tǒng)的數(shù)據(jù)總線寬度都是64bit的，所以EDODRAM與FPMDRAM都必須以一對一組的形式同時安裝，共同組成一個Bank。486后期的有些主板和大多586主板均支持EDODRAM。除了速度快、主板支持率高的特點外，EDODRAM在制造上只是在原來DRAM基礎(chǔ)上增加了少量EDO邏輯電路，因此成本與FPMDRAM相差不大，于是EDODRAM一上市就得到了很好的推廣，直到更高性能的SDRAM出現(xiàn)之后，EDODRAM才退出市場。 

    SD內(nèi)存 

    SDRAM：當個人電腦進入IntelPentium時代后，SDRAM開始為大家所熟悉了，并一直流行到至今。SD（SynchronousDynamic）RAM也稱為“同步動態(tài)內(nèi)存”，都是168線的，帶寬為64bit，工作電壓為3.3V，目前 快的速度可達6ns。它的工作原理是將RAM與CPU以相同的時鐘頻率進行控制，使RAM和CPU的外頻同步，徹底取消等待時間，所以它的數(shù)據(jù)傳輸速度比EDORAM又至少快了13%。采用64bit的數(shù)據(jù)寬，所以只需一根內(nèi)存條就可以安裝使用。

    對SDRAM的支持是從Intel的VX控制芯片組開始的。VX芯片組集成了許多新的功能，其中包括支持168pin的SDRAM，在VX主板中，我們一般可以看到有四根可插72pin內(nèi)存的SIMM內(nèi)存插槽，此外還有一根可以插168pin的DIMM內(nèi)存插槽，這也說明VX控制芯片是初次嘗試支持SDRAM，不過VX控制芯片只是過渡時期的產(chǎn)品，真正能夠完美支持SDRAM的是后來Intel發(fā)布的TX控制芯片，再來看TX主板，一般SIMM已被縮減至一組，甚至沒有，而DIMM都有二根甚至三根。

    在當前，因為CPU的超頻是很多人的共同話題，在經(jīng)過CPU的再三發(fā)展后，外頻的概念慢慢地被建立起來。內(nèi)存與CPU是有著極強聯(lián)系的，CPU的外頻有了66MHz、100MHz等，于是內(nèi)存的工作時鐘也被確立起來。因為，內(nèi)存需要工作在CPU的外頻下，所以也就有了所謂的PC66、PC100等內(nèi)存規(guī)范，甚至到后來的PC133規(guī)范。因為主頻越高，工作的速度也就越快，所以SDRAM相對于EDO等各型內(nèi)存，其存取周期所花的時間大大縮短，常見的一般有10ns、8ns、7ns等。在CPU被超頻的同時，我們還接觸到了一個CL問題。CL是CASLatency的簡稱，CAS是指內(nèi)存在存取數(shù)據(jù)的延遲時間，那么這個數(shù)據(jù)就代表著內(nèi)存的反應速度。一般在主板的BIOS中，我們可以看到CL參數(shù)的調(diào)協(xié)，選項有2或3，數(shù)字小代表內(nèi)存的反應速度較快，可以快速響應CPU給予的指令，并在高速下作。這也是衡量SDRAM優(yōu)劣與否的重要標志之一。

    隨著內(nèi)存的進一步規(guī)范，我們可以看到在SDRAM內(nèi)存條上有一個極小的芯片，一般以內(nèi)存右下或右上的位置。這塊極小的芯片被稱為SPD。這塊SPD其實就是一塊2K的EPROM，它是在內(nèi)存出廠時，由廠家將該內(nèi)存的性能指標寫入其中，用戶在使用中，由主板將其內(nèi)容讀出，并在BIOS中內(nèi)存類型為Auto的條件上，按SPD的內(nèi)容來調(diào)整工作參數(shù)，以加強系統(tǒng)穩(wěn)定性。

    DDRDRAM：DDR（DoubleDataRateDRAM），雙速率DRAM是DRAM技術(shù)的延續(xù)，與DRAM的主要區(qū)別是DDRDRAM能利用時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，因此不需提高工作頻率就能成倍提高DRAM的速度，而且制成本并不高。此技術(shù)可應用于SDRAM和SGRAM，使得實際帶寬增加了兩倍。就實際功能來看，在100MHz下DDRSDRAM的理論帶寬甚至可以達到1.66GB/s，在133MHz下可達到2.1GB/s，200MHz更可達到3.2GB/s。可以看到DDRDRAM在未來的高速PC系統(tǒng)和服務器中有著極大的應用前景。目前威盛和其它一些內(nèi)存廠商正大力推廣DDRSDRAM，欲使其成為下一代內(nèi)存主流。AMD、VIA等廠商也在探討其下一代主板芯片組中應用DDRSDRAM的可能性。 

    DDR內(nèi)存現(xiàn)在漸漸成為內(nèi)存市場中新的寵兒，因其合理的性價比從其誕生以來一直受到人們熱烈的期望，希望這一新的內(nèi)存產(chǎn)品全面提升系統(tǒng)的處理速度和帶寬，就連對Rambus抱有無限希望的Intel公司也向外界宣布將以 快的速度生產(chǎn)支持DDR內(nèi)存的新一代P4系統(tǒng)。不難看出，DDR真的是大勢所趨。近來市場上已聞諸多廠商開始陸續(xù)推出自己的DDR內(nèi)存產(chǎn)品，國際上少數(shù)內(nèi)存生產(chǎn)商之一的金士頓公司（Kingston）其實在去年年底就已完成了批量生產(chǎn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)線的建設(shè)，現(xiàn)在金士頓公司(Kingston)已準備開始向全球接受訂單開始大量供貨了。那么究竟什么是DDR內(nèi)存呢？其技術(shù)優(yōu)勢又在何處呢？請讓我們先了解一下這樣新的事物。 DDR是DoubleDataRateSDRAM的縮寫（雙倍數(shù)據(jù)速率）。DDRSDRAM內(nèi)存技術(shù)是從主流的PC66，PC100，PC133SDRAM技術(shù)發(fā)展而來。這一新技術(shù)使新一代的高性能計算機系統(tǒng)成為可能，包括臺式機、工作站、服務器、便攜式，也包括新的通信產(chǎn)品，如路由器。DDR內(nèi)存目前被廣泛應用于高性能圖形適配器。 

    DDRDIMMs與SDRAMDIMMs的物理元數(shù)相同，但兩側(cè)的線數(shù)不同，DDR應用184pins，而SDRAM則應用168pins。因此，DDR內(nèi)存不向后兼容SDRAM，要求專為DDR設(shè)計的主板與系統(tǒng)。 DDR內(nèi)存技術(shù)是成熟的PC100和PC133SDRAM技術(shù)的革命性進步。DDR內(nèi)存芯片由半導體制造商用現(xiàn)有的晶圓片，程序及測試設(shè)備生產(chǎn)，從而降低了內(nèi)存芯片的成本。Kingston能夠利用其現(xiàn)有的制造與測試設(shè)備在全球范圍內(nèi)提供DDR模塊。主要的技術(shù)及芯片公司，包括Intel,AMD,ViaTechnology,AcerLabs(Ali),SiliconIntegratedSystems(SiS),nVidia,ATI,及ServerWorks都已宣布支持DDR內(nèi)存。主板及系統(tǒng)支持DDR內(nèi)存在2000的Q4中已獲引進，在2001年將被大量采用。 DDRDIMM的規(guī)范由JEDEC定案。JEDEC是電子行業(yè)聯(lián)盟的半導體工業(yè)標準化組織。大約300家會員公司提交行業(yè)中每一環(huán)節(jié)的標準，積極合作來發(fā)展符合行業(yè)需求的標準體系。Kingston是JEDEC的長期會員，并且是JEDEC的理事會成員。

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