內(nèi)存隨著電腦數(shù)據(jù)總線寬度的增加，電腦對(duì)內(nèi)存數(shù)據(jù)線的寬度要求也不斷提高。內(nèi)存數(shù)據(jù)線的寬度從早期的1bit提高到4bit、8bit、32bit和目前的64bit。內(nèi)存接插形式也經(jīng)歷了DIP內(nèi)存、SIMM內(nèi)存和DIMM內(nèi)存時(shí)代。

    1、DIP內(nèi)存 DIP內(nèi)存即普通雙列直插內(nèi)存芯片，主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)寬度為8bit的Apple機(jī)、PC機(jī)、PC/XT機(jī)時(shí)代。DIP內(nèi)存直接焊接在主板上或插在主板的DIP插座上，早期的DIP僅有1bit數(shù)據(jù)，需以9片為一組安裝，其中8片為數(shù)據(jù)位，一片為校驗(yàn)位。

    2、SIMM內(nèi)存 SIMM（Single-InLineMemoryModule），單邊接插內(nèi)存模塊。SIMM內(nèi)存是一條焊有多片內(nèi)存芯片的印刷電路板，插在主板內(nèi)存插槽中，它分30線SIMM和72線SIMM兩種類型。 30線SIMM內(nèi)存條誕生于286時(shí)代，有8bit數(shù)據(jù)位（部分另加有1位校驗(yàn)位）。對(duì)16bit數(shù)據(jù)總線的286、386SX主板均以兩條為一組安裝，對(duì)32bit數(shù)據(jù)總線的386DX、486主板則需以四條為一組安裝，30線內(nèi)存條常見(jiàn)容量有256KB、1MB和4MB。 72線SIMM內(nèi)存條誕生于486時(shí)代后期，有32bit數(shù)據(jù)位。對(duì)32bit數(shù)據(jù)總線的486主板，可以一條為一組安裝；對(duì)有64bit內(nèi)存數(shù)據(jù)總線的586主板，需以二條為一組安裝。72線內(nèi)存條常容量有4MB、8MB、16MB和32MB。 

    3、DIMM內(nèi)存 DIMM（DualIn-LineMemoryModule）雙邊接插內(nèi)存模塊。主板上的DIMM內(nèi)存插槽兩邊均有金屬引腳線，每邊84線雙邊共有84*2=168條引腳，故而常稱其為168線內(nèi)存條。 168線DIMM內(nèi)存條有64bit數(shù)據(jù)位，在586級(jí)主板上安裝一條即能工作。目前大多主板均采用DIMM內(nèi)存條。168線內(nèi)存條的常見(jiàn)容量有32MB、64MB、128MB。

    技術(shù)的發(fā)展歷程

    作為電腦主存儲(chǔ)器的DRAM存儲(chǔ)器問(wèn)世以來(lái)，存儲(chǔ)器制造技術(shù)也不斷在提高,先后出現(xiàn)了FPMDRAM、EDODRAM、BEDODRAM、SDRAM、DDRDRAM、RambusDRAM等多種存儲(chǔ)器，主要技術(shù)向高集成度、高速度、高性能方向發(fā)展。

    FPMDRAM：又叫快頁(yè)內(nèi)存，是傳統(tǒng)DRAM的改進(jìn)型產(chǎn)品，在Intel286、386時(shí)代很流行。其主要特點(diǎn)是采用了不同于早期DRAM的列地址讀出方式，以30pin的FPMDRAM為例，每秒刷新率可以達(dá)到幾百次，在當(dāng)時(shí)是非常驚人的，從而提高了內(nèi)存的傳輸速率。但由于FPMDRAM使用了同一電路來(lái)存取數(shù)據(jù)的方式，因此也帶來(lái)一些弊端，例如FPMDRAM在存取時(shí)間上會(huì)有一定的時(shí)間間隔，而且在FPMDRAM中，由于存儲(chǔ)地址空間是按頁(yè)排列的，因此當(dāng)訪問(wèn)到某一頁(yè)面后，再切換到另一頁(yè)面會(huì)占用額外的時(shí)鐘周期。

    在Intel286、386時(shí)代，我們常常可以看到一塊PCB電路板上有著2至3枚雙排針腳的內(nèi)存芯片，容量只有1MB或2MB，因此可以說(shuō)早期的FPM內(nèi)存容量是非常低的，這樣的容量擺到現(xiàn)在看來(lái)，幾乎是不可想象的，但當(dāng)時(shí)就是這樣，能有4MB內(nèi)存的電腦已是極高的配置了。進(jìn)入Intel486時(shí)代以后，電腦的各個(gè)部分也都在飛速發(fā)展著，從電腦內(nèi)部總線到操作系統(tǒng)沒(méi)有一處不在發(fā)生著變化。至此大容量?jī)?nèi)存的發(fā)展由此進(jìn)入快車道。新的FPMDRAM內(nèi)存開始采用72pin接口，由4/8顆內(nèi)存芯片組成的4MB、8MB、16MB容量?jī)?nèi)存條逐漸大量面世，到了后期，32MB內(nèi)存也漸露身影，按理說(shuō)72pinSIMMFPM是32bit產(chǎn)品，比30pinSIMMFPM性能更好些，但當(dāng)時(shí)72pinSIMMFPM價(jià)格相對(duì)較高，個(gè)人用戶考慮價(jià)格問(wèn)題減緩了新品的推廣。至此，內(nèi)存的類型也開始發(fā)生新的變化。

    EDODRAM：一種被稱為EDO的采用新的尋址方式的內(nèi)存開始流行。EDO內(nèi)存（ExtendedDAtaOut）也稱“擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存”。它的工作原理基本與FPMDRAM類似，取消了擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個(gè)存儲(chǔ)周期之間的時(shí)間間隔，可在把數(shù)據(jù)發(fā)給CPU的同時(shí)去訪問(wèn)下一個(gè)頁(yè)面，故而速度要比普通的DRAM快出15%~30%。EDODRAM的工作電壓是5V，帶寬32bit，其接口方式多為72pin的SIMM類型，但也有168pin的DIMM類型。由于Pentium及其以上級(jí)別系統(tǒng)的數(shù)據(jù)總線寬度都是64bit的，所以EDODRAM與FPMDRAM都必須以一對(duì)一組的形式同時(shí)安裝，共同組成一個(gè)Bank。486后期的有些主板和大多586主板均支持EDODRAM。除了速度快、主板支持率高的特點(diǎn)外，EDODRAM在制造上只是在原來(lái)DRAM基礎(chǔ)上增加了少量EDO邏輯電路，因此成本與FPMDRAM相差不大，于是EDODRAM一上市就得到了很好的推廣，直到更高性能的SDRAM出現(xiàn)之后，EDODRAM才退出市場(chǎng)。 

    SD內(nèi)存 

    SDRAM：當(dāng)個(gè)人電腦進(jìn)入IntelPentium時(shí)代后，SDRAM開始為大家所熟悉了，并一直流行到至今。SD（SynchronousDynamic）RAM也稱為“同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存”，都是168線的，帶寬為64bit，工作電壓為3.3V，目前 快的速度可達(dá)6ns。它的工作原理是將RAM與CPU以相同的時(shí)鐘頻率進(jìn)行控制，使RAM和CPU的外頻同步，徹底取消等待時(shí)間，所以它的數(shù)據(jù)傳輸速度比EDORAM又至少快了13%。采用64bit的數(shù)據(jù)寬，所以只需一根內(nèi)存條就可以安裝使用。

    對(duì)SDRAM的支持是從Intel的VX控制芯片組開始的。VX芯片組集成了許多新的功能，其中包括支持168pin的SDRAM，在VX主板中，我們一般可以看到有四根可插72pin內(nèi)存的SIMM內(nèi)存插槽，此外還有一根可以插168pin的DIMM內(nèi)存插槽，這也說(shuō)明VX控制芯片是初次嘗試支持SDRAM，不過(guò)VX控制芯片只是過(guò)渡時(shí)期的產(chǎn)品，真正能夠完美支持SDRAM的是后來(lái)Intel發(fā)布的TX控制芯片，再來(lái)看TX主板，一般SIMM已被縮減至一組，甚至沒(méi)有，而DIMM都有二根甚至三根。

    在當(dāng)前，因?yàn)镃PU的超頻是很多人的共同話題，在經(jīng)過(guò)CPU的再三發(fā)展后，外頻的概念慢慢地被建立起來(lái)。內(nèi)存與CPU是有著極強(qiáng)聯(lián)系的，CPU的外頻有了66MHz、100MHz等，于是內(nèi)存的工作時(shí)鐘也被確立起來(lái)。因?yàn)椋瑑?nèi)存需要工作在CPU的外頻下，所以也就有了所謂的PC66、PC100等內(nèi)存規(guī)范，甚至到后來(lái)的PC133規(guī)范。因?yàn)橹黝l越高，工作的速度也就越快，所以SDRAM相對(duì)于EDO等各型內(nèi)存，其存取周期所花的時(shí)間大大縮短，常見(jiàn)的一般有10ns、8ns、7ns等。在CPU被超頻的同時(shí)，我們還接觸到了一個(gè)CL問(wèn)題。CL是CASLatency的簡(jiǎn)稱，CAS是指內(nèi)存在存取數(shù)據(jù)的延遲時(shí)間，那么這個(gè)數(shù)據(jù)就代表著內(nèi)存的反應(yīng)速度。一般在主板的BIOS中，我們可以看到CL參數(shù)的調(diào)協(xié)，選項(xiàng)有2或3，數(shù)字小代表內(nèi)存的反應(yīng)速度較快，可以快速響應(yīng)CPU給予的指令，并在高速下作。這也是衡量SDRAM優(yōu)劣與否的重要標(biāo)志之一。

    隨著內(nèi)存的進(jìn)一步規(guī)范，我們可以看到在SDRAM內(nèi)存條上有一個(gè)極小的芯片，一般以內(nèi)存右下或右上的位置。這塊極小的芯片被稱為SPD。這塊SPD其實(shí)就是一塊2K的EPROM，它是在內(nèi)存出廠時(shí)，由廠家將該內(nèi)存的性能指標(biāo)寫入其中，用戶在使用中，由主板將其內(nèi)容讀出，并在BIOS中內(nèi)存類型為Auto的條件上，按SPD的內(nèi)容來(lái)調(diào)整工作參數(shù)，以加強(qiáng)系統(tǒng)穩(wěn)定性。

    DDRDRAM：DDR（DoubleDataRateDRAM），雙速率DRAM是DRAM技術(shù)的延續(xù)，與DRAM的主要區(qū)別是DDRDRAM能利用時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)，因此不需提高工作頻率就能成倍提高DRAM的速度，而且制成本并不高。此技術(shù)可應(yīng)用于SDRAM和SGRAM，使得實(shí)際帶寬增加了兩倍。就實(shí)際功能來(lái)看，在100MHz下DDRSDRAM的理論帶寬甚至可以達(dá)到1.66GB/s，在133MHz下可達(dá)到2.1GB/s，200MHz更可達(dá)到3.2GB/s。可以看到DDRDRAM在未來(lái)的高速PC系統(tǒng)和服務(wù)器中有著極大的應(yīng)用前景。目前威盛和其它一些內(nèi)存廠商正大力推廣DDRSDRAM，欲使其成為下一代內(nèi)存主流。AMD、VIA等廠商也在探討其下一代主板芯片組中應(yīng)用DDRSDRAM的可能性。 

    DDR內(nèi)存現(xiàn)在漸漸成為內(nèi)存市場(chǎng)中新的寵兒，因其合理的性價(jià)比從其誕生以來(lái)一直受到人們熱烈的期望，希望這一新的內(nèi)存產(chǎn)品全面提升系統(tǒng)的處理速度和帶寬，就連對(duì)Rambus抱有無(wú)限希望的Intel公司也向外界宣布將以 快的速度生產(chǎn)支持DDR內(nèi)存的新一代P4系統(tǒng)。不難看出，DDR真的是大勢(shì)所趨。近來(lái)市場(chǎng)上已聞諸多廠商開始陸續(xù)推出自己的DDR內(nèi)存產(chǎn)品，國(guó)際上少數(shù)內(nèi)存生產(chǎn)商之一的金士頓公司（Kingston）其實(shí)在去年年底就已完成了批量生產(chǎn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)線的建設(shè)，現(xiàn)在金士頓公司(Kingston)已準(zhǔn)備開始向全球接受訂單開始大量供貨了。那么究竟什么是DDR內(nèi)存呢？其技術(shù)優(yōu)勢(shì)又在何處呢？請(qǐng)讓我們先了解一下這樣新的事物。 DDR是DoubleDataRateSDRAM的縮寫（雙倍數(shù)據(jù)速率）。DDRSDRAM內(nèi)存技術(shù)是從主流的PC66，PC100，PC133SDRAM技術(shù)發(fā)展而來(lái)。這一新技術(shù)使新一代的高性能計(jì)算機(jī)系統(tǒng)成為可能，包括臺(tái)式機(jī)、工作站、服務(wù)器、便攜式，也包括新的通信產(chǎn)品，如路由器。DDR內(nèi)存目前被廣泛應(yīng)用于高性能圖形適配器。 

    DDRDIMMs與SDRAMDIMMs的物理元數(shù)相同，但兩側(cè)的線數(shù)不同，DDR應(yīng)用184pins，而SDRAM則應(yīng)用168pins。因此，DDR內(nèi)存不向后兼容SDRAM，要求專為DDR設(shè)計(jì)的主板與系統(tǒng)。 DDR內(nèi)存技術(shù)是成熟的PC100和PC133SDRAM技術(shù)的革命性進(jìn)步。DDR內(nèi)存芯片由半導(dǎo)體制造商用現(xiàn)有的晶圓片，程序及測(cè)試設(shè)備生產(chǎn)，從而降低了內(nèi)存芯片的成本。Kingston能夠利用其現(xiàn)有的制造與測(cè)試設(shè)備在全球范圍內(nèi)提供DDR模塊。主要的技術(shù)及芯片公司，包括Intel,AMD,ViaTechnology,AcerLabs(Ali),SiliconIntegratedSystems(SiS),nVidia,ATI,及ServerWorks都已宣布支持DDR內(nèi)存。主板及系統(tǒng)支持DDR內(nèi)存在2000的Q4中已獲引進(jìn)，在2001年將被大量采用。 DDRDIMM的規(guī)范由JEDEC定案。JEDEC是電子行業(yè)聯(lián)盟的半導(dǎo)體工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化組織。大約300家會(huì)員公司提交行業(yè)中每一環(huán)節(jié)的標(biāo)準(zhǔn)，積極合作來(lái)發(fā)展符合行業(yè)需求的標(biāo)準(zhǔn)體系。Kingston是JEDEC的長(zhǎng)期會(huì)員，并且是JEDEC的理事會(huì)成員。

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