陽光手機學(xué)校：三星在閃存峰會上的那些黑科技？

擁有著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的三星電子，在閃存顆粒的研制上也有著相當?shù)膶嵙�。作為業(yè)界第一個研發(fā)出3d-nand技術(shù)并將之應(yīng)用于固態(tài)硬盤上的廠商

 

第四代v-nand技術(shù)

三星作為3d-nand技術(shù)的鼻祖，一直都在研發(fā)更加可靠實用的3d nand產(chǎn)品。而在此次峰會上，三星也推出了讓人期待依舊的第四代v-nand技術(shù)。

第四代3d v-nand立體堆疊技術(shù) 大的特點就是層數(shù)的增加以及容量的增加，層數(shù)上，由第三代的48層增至64層；容量上，單晶粒 大容量512gb(64gb)，依舊支持tlc顆粒，同時io接口傳輸速度也提高到了800mbps。

基于此新技術(shù)，三星可以在單顆芯片封裝內(nèi)，做到1tb容量，甚至是13×11.5毫米的單芯片bga ssd都能做到1tb。

 

對標intel，推出“z-nand”技術(shù)

除了研發(fā)的新一代的v-nand技術(shù)，三星還宣布了新的“z-nand”閃存技術(shù)、新的主控。據(jù)悉，新的“z-ssd”硬盤，將介于傳統(tǒng)ssd和內(nèi)存之間，性能高于傳統(tǒng)nvme、pram ssd，延遲則類似后者，能效也更高。

而從新聞稿看，z-nand并不是intel、美光搞的那種混合式3d xpoint，因為其基本結(jié)構(gòu)和v-nand是相通的，只不過加入了特殊電路和主控設(shè)計，實現(xiàn)性能 大化。

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