現(xiàn)代內(nèi)存的編碼識(shí)別

時(shí)間：2010-06-11 11:47:06 整理：佚名 []

1． HY代表著該顆粒是現(xiàn)代制造之產(chǎn)品。
2．內(nèi)存芯片類型：（5D=DDR SDRAM）
3．處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5．內(nèi)存條芯片結(jié)構(gòu)：（4＝4顆芯片；8＝8顆芯片；16＝16顆芯片；32＝32顆芯片）
6．內(nèi)存bank（儲(chǔ)蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7．接口類型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8．內(nèi)核代號(hào)：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10．封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11．封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））
12．封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素）
13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14．工作溫度：（I=工業(yè)常溫（-40 - 85度）；E=擴(kuò)展溫度（-25 - 85度））

HY5DU561622AT-J 容量256M J =DDR333 電壓2.5V

HY5DU12822CTP-D43 容量512M D43=400 電壓2.5V

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