(1)過電壓保護電路
　　
　　加到mosfet上的浪涌電壓有開關(guān)與其他mosfet等部件產(chǎn)生的浪涌電壓：
　　
　　有mosfet自身關(guān)斷時產(chǎn)生的浪涌電壓：
　　
　　有mosfet內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)特性產(chǎn)生的浪涌電壓等。這些過電壓會損壞元器件，因此要降低這些電壓的影響。
　　
　　過電壓保護基本電路如下圖所示。
　　
　　其中下圖(a)所示電路是用rc吸收浪涌電壓的方式，下圖(b)所示電路是再接一只二極管vd抑制浪涌電壓，為防止浪涌電壓的振蕩，vd要采用高頻開關(guān)二極管。下圖(c)所示電路是用穩(wěn)壓二極管鉗位浪涌電壓的方式，而下圖(d)、下圖(e)所示電路是mosfet上如果加的浪涌電壓超過規(guī)定值，就使mosfet導(dǎo)通的方式。下圖(f)和下圖(g)所示電路在逆變器電路中使用，在正負母線間接電容而吸引浪涌電壓。特別是下圖(g)所示電路能吸收高于電源電壓的浪涌電壓，吸收電路的損耗小。下圖(h)所示電路是對于在感性負載（l）上并聯(lián)二極管vd，能消除來自負載的浪涌電壓。下圖(1)所示電路是柵極串聯(lián)電阻rc，使柵極反向電壓vcg選為 佳值，延遲關(guān)斷時間而抑制浪涌電壓的發(fā)生。

　　
　　(2)過電流保護電路
　　
　　mosfet的過電流有兩種情況，即負載短路與負載過大時產(chǎn)生的過電流。過電流保護的基本電路如下圖所示，由電流互感器(ct)檢測過電流，從而切斷mosfet的柵極信號。也可用電阻或霍爾元件替代ct。

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