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絕緣柵型貼片場效應管
★★★★★【文章導讀】：絕緣柵型貼片場效應管具體內容是：絕緣柵型貼片場效應管是在一塊低摻雜的P型硅片上，通過擴散工藝形成兩個相距很近的高摻雜N區，分別作為源極S和漏極D。另外，在兩N區之間的二氧化硅(Si02)絕緣層上蒸發一個金屬電極作為柵極G。通常簡稱MOS場效應管。
來源： 日期：2013-12-4 20:48:42 人氣：標簽：
絕緣柵型貼片場效應管是在一塊低摻雜的P型硅片上，通過擴散工藝形成兩個相距很近的高摻雜N區，分別作為源極S和漏極D。另外，在兩N區之間的二氧化硅(Si02)絕緣層上蒸發一個金屬電極作為柵極G。通常簡稱MOS場效應管。
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