從圖中可以看出，實際上他僅僅是一個將下玻璃基板換成了制作tft和ic電路的單晶硅基片的液晶顯示器件。
　　
　　為什麼要采用這種結構呢？
　　
　　我們知道，普通的tft有源液晶顯示器件一般是在玻璃基板上生成一層非晶硅膜層，再制作tft有源矩陣的。非晶硅的電子遷移率低，因此所制成的tft器件的面積大。對于一個固定面積的像素來說，他占用的面積比例就大，即，開口率就低，從而使通過像素的光就少。下圖所示是開口率的示意圖。

　　
　　從圖中可見，一個像素被tft器件和邊緣占去了不少，如果再加上前后偏光片和濾色片等各種因素，一般tft的液晶顯示器件的透過率不過10%左右。這就不得不在應用時要配上較大功率的背光源。因此，大大削弱了液晶顯示器件微功耗的優勢。
　　
　　后來，人們將非晶硅的tft器件改為多晶硅tft、器件。由于多晶硅的電子遷移率比非晶硅的電子遷移率高一個數量級，所以，可以將tft器件的面積縮小很多，從而使開口率大大提高。但是，透光率的提高還是不夠，光的利用率還是不高。
　　
　　人們開始想到了單晶硅，單晶硅的電子遷移率比多晶硅又高了一個數量級，因此，單晶硅的tft器件面積可以作的更小，開口率可以做到95%以上。但是，單晶硅不能在玻璃上生成，于是人們干脆將tft器件直接作到單晶硅硅片上。單晶硅硅片是不透明的，所以，人們索性將液晶顯示器件作成反射式的顯示器件。反射式的器件沒有透過式器件的光吸收，所以光的利用率更高。人們為了進一步提高光的利用率，又在tft矩陣像素的表面蒸鍍了一層反射鏡面，使光的利用率達到 大。

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