MOS FET的頻率特性

★★★★★【文章導(dǎo)讀】：MOS FET的頻率特性具體內(nèi)容是：半導(dǎo)體的頻率特性基本取決于其開(kāi)關(guān)特性、雙極型晶體管無(wú)論載流子還是空穴，皆存在存儲(chǔ)效應(yīng)，使響應(yīng)速度變差。FET無(wú)此存在效應(yīng)，更適于高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作。若以增益頻寬積表示(h)雙極管約為100kHz~10MHz，而FET則可達(dá)到100…

來(lái)源：日期：2013-11-5 23:28:38 人氣：標(biāo)簽：

　　半導(dǎo)體的頻率特性基本取決于其開(kāi)關(guān)特性、雙極型晶體管無(wú)論載流子還是空穴，皆存在存儲(chǔ)效應(yīng)，使響應(yīng)速度變差。FET無(wú)此存在效應(yīng)，更適于高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作。若以增益頻寬積表示(h)雙極管約為100kHz~10MHz，而FET則可達(dá)到100MHz以上。
　　
　　FET的頻寬可以gm/2 πCi表示（Ci為漏源極輸人電容），如日本的2SK146，gm=40ms，Ci=75pF，則其頻寬積約為85MHz。
　　
　　可見(jiàn)輸入電容對(duì)放大器頻響的重要性，小功率雙柵MOS FET，由于氧化層極薄，故工作于UHF頻段也極優(yōu)秀。對(duì)UHF MOSFET而言，Ci常達(dá)1000pF以上，功率越大Ci也越大，IDS達(dá)到30A的UHC MOS Ci值接近O,01μF，即使無(wú)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng)，大容量的輸入電容也會(huì)使MOS關(guān)斷延遲，在模擬放大中引起波形失真。為此在音頻范圍應(yīng)用必須采用輸出阻抗極低的驅(qū)動(dòng)電路，以使信號(hào)輸入時(shí)輸入電容能快速充電完畢，驅(qū)動(dòng)信號(hào)迅速達(dá)到其峰值。如果信號(hào)源內(nèi)阻過(guò)高，將產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電壓的延遲而引起失真。信號(hào)源內(nèi)阻很低時(shí)充電速度加快，但初始充電電流極大，造成柵極電壓下凹。因此還需在信號(hào)源和柵極間接八適當(dāng)小電阻限制過(guò)大充電初始電流。低的信號(hào)源內(nèi)阻可提供Ci初始充電電流的能力。
　　
　　在柵極加入小電阻則對(duì)初始充電峰流進(jìn)行適當(dāng)限制，以避免輸入信號(hào)的失真。此為UHF FET放大器擴(kuò)展頻響，減小波形畸變的關(guān)鍵。
　　
　　上述特點(diǎn)是功率型MOS FET用于功放輸出級(jí)必須考慮的重點(diǎn)。
　　
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