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硬盤常見參數(shù)講解與常見誤區(qū)
來源: 日期:2013-10-14 16:15:59 人氣:標(biāo)簽:
硬盤的主要技術(shù)指標(biāo)
在我們平時(shí)選購硬盤時(shí),經(jīng)常會(huì)了解硬盤的一些參數(shù),而且很多雜志的相關(guān)文章也對(duì)此進(jìn)行了不少的解釋。不過,很多情況下,這種介紹并不細(xì)致甚至?xí)䦷в幸恍┱`導(dǎo)的成分。今天,我們就聊聊這方面的話題,希望能對(duì)硬盤選購者提供應(yīng)有的幫助。
首先,我們來了解一下硬盤的內(nèi)部結(jié)構(gòu),它將有助于理解本文的相關(guān)內(nèi)容。
工作時(shí),磁盤在中軸馬達(dá)的帶動(dòng)下,高速旋轉(zhuǎn),而磁頭臂在音圈馬達(dá)的控制下,在磁盤上方進(jìn)行徑向的移動(dòng)進(jìn)行尋址
硬盤常見的技術(shù)指標(biāo)有以下幾種:
1、每分鐘轉(zhuǎn)速(RPM,Revolutions Per Minute):這一指標(biāo)代表了硬盤主軸馬達(dá)(帶動(dòng)磁盤)的轉(zhuǎn)速,比如5400RPM就代表該硬盤中的主軸轉(zhuǎn)速為每分鐘5400轉(zhuǎn)。
2、平均尋道時(shí)間(Average Seek Time):如果沒有特殊說明一般指讀取時(shí)的尋道時(shí)間,單位為ms(毫秒)。這一指標(biāo)的含義是指硬盤接到讀/寫指令后到磁頭移到指定的磁道(應(yīng)該是柱面,但對(duì)于具體磁頭來說就是磁道)上方所需要的平均時(shí)間。除了平均尋道時(shí)間外,還有道間尋道時(shí)間(Track to Track或Cylinder Switch Time)與全程尋道時(shí)間(Full Track或Full Stroke),前者是指磁頭從當(dāng)前磁道上方移至相鄰磁道上方所需的時(shí)間,后者是指磁頭從 外(或 內(nèi))圈磁道上方移至 內(nèi)(或 外)圈磁道上方所需的時(shí)間,基本上比平均尋道時(shí)間多一倍。出于實(shí)際的工作情況,我們一般只關(guān)心平均尋道時(shí)間。
3、平均潛伏期(Average Latency):這一指標(biāo)是指當(dāng)磁頭移動(dòng)到指定磁道后,要等多長時(shí)間指定的讀/寫扇區(qū)會(huì)移動(dòng)到磁頭下方(盤片是旋轉(zhuǎn)的),盤片轉(zhuǎn)得越快,潛伏期越短。平均潛伏期是指磁盤轉(zhuǎn)動(dòng)半圈所用的時(shí)間。顯然,同一轉(zhuǎn)速的硬盤的平均潛伏期是固定的。7200RPM時(shí)約為4.167ms,5400RPM時(shí)約為5.556ms。
4、平均訪問時(shí)間(Average Access Time):又稱平均存取時(shí)間,一般在廠商公布的規(guī)格中不會(huì)提供,這一般是測(cè)試成績中的一項(xiàng),其含義是指從讀/寫指令發(fā)出到第一筆數(shù)據(jù)讀/寫時(shí)所用的平均時(shí)間,包括了平均尋道時(shí)間、平均潛伏期與相關(guān)的內(nèi)務(wù)操作時(shí)間(如指令處理),由于內(nèi)務(wù)操作時(shí)間一般很短(一般在0.2ms左右),可忽略不計(jì),所以平均訪問時(shí)間可近似等于平均尋道時(shí)間+平均潛伏期,因而又稱平均尋址時(shí)間。如果一個(gè)5400RPM硬盤的平均尋道時(shí)間是9ms,那么理論上它的平均訪問時(shí)間就是14.556ms。
5、數(shù)據(jù)傳輸率(DTR,Data Transfer Rate):單位為MB/s(兆字節(jié)每秒,又稱MBPS)或Mbits/s(兆位每秒,又稱Mbps)。DTR分為 大(Maximum)與持續(xù)(Sustained)兩個(gè)指標(biāo),根據(jù)數(shù)據(jù)交接方的不同又分外部與內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率。內(nèi)部DTR是指磁頭與緩沖區(qū)之間的數(shù)據(jù)傳輸率,外部DTR是指緩沖區(qū)與主機(jī)(即內(nèi)存)之間的數(shù)據(jù)傳輸率。外部DTR上限取決于硬盤的接口,目前流行的Ultra ATA-100接口即代表外部DTR 高理論值可達(dá)100MB/s,持續(xù)DTR則要看內(nèi)部持續(xù)DTR的水平。內(nèi)部DTR則是硬盤的真正數(shù)據(jù)傳輸能力,為充分發(fā)揮內(nèi)部DTR,外部DTR理論值都會(huì)比內(nèi)部DTR高,但內(nèi)部DTR決定了外部DTR的實(shí)際表現(xiàn)。由于磁盤中 外圈的磁道 長,可以讓磁頭在單位時(shí)間內(nèi)比內(nèi)圈的磁道劃過更多的扇區(qū),所以磁頭在 外圈時(shí)內(nèi)部DTR 大,在 內(nèi)圈時(shí)內(nèi)部DTR 小。
6、緩沖區(qū)容量(Buffer Size):很多人也稱之為緩存(Cache)容量,單位為MB。在一些廠商資料中還被寫作Cache Buffer。緩沖區(qū)的基本要作用是平衡內(nèi)部與外部的DTR。為了減少主機(jī)的等待時(shí)間,硬盤會(huì)將讀取的資料先存入緩沖區(qū),等全部讀完或緩沖區(qū)填滿后再以接口速率快速向主機(jī)發(fā)送。隨著技術(shù)的發(fā)展,廠商們后來為SCSI硬盤緩沖區(qū)增加了緩存功能(這也是為什么筆者仍然堅(jiān)持說其是緩沖區(qū)的原因)。這主要體現(xiàn)在三個(gè)方面:預(yù)取(Prefetch),實(shí)驗(yàn)表明在典型情況下,至少50%的讀取操作是連續(xù)讀取。預(yù)取功能簡單地說就是硬盤“私自”擴(kuò)大讀取范圍,在緩沖區(qū)向主機(jī)發(fā)送指定扇區(qū)數(shù)據(jù)(即磁頭已經(jīng)讀完指定扇區(qū))之后,磁頭接著讀取相鄰的若干個(gè)扇區(qū)數(shù)據(jù)并送入緩沖區(qū),如果后面的讀操作正好指向已預(yù)取的相鄰扇區(qū),即從緩沖區(qū)中讀取而不用磁頭再尋址,提高了訪問速度。寫緩存(Write Cache),通常情況下在寫入操作時(shí),也是先將數(shù)據(jù)寫入緩沖區(qū)再發(fā)送到磁頭,等磁頭寫入完畢后再報(bào)告主機(jī)寫入完畢,主機(jī)才開始處理下一任務(wù)。具備寫緩存的硬盤則在數(shù)據(jù)寫入緩區(qū)后即向主機(jī)報(bào)告寫入完畢,讓主機(jī)提前“解放”處理其他事務(wù)(剩下的磁頭寫入操作主機(jī)不用等待),提高了整體效率。為了進(jìn)一步提高效能,現(xiàn)在的廠商基本都應(yīng)用了分段式緩存技術(shù)(Multiple Segment Cache),將緩沖區(qū)劃分成多個(gè)小塊,存儲(chǔ)不同的寫入數(shù)據(jù),而不必為小數(shù)據(jù)浪費(fèi)整個(gè)緩沖區(qū)空間,同時(shí)還可以等所有段寫滿后統(tǒng)一寫入,性能更好。讀緩存(Read Cache),將讀取過的數(shù)據(jù)暫時(shí)保存在緩沖區(qū)中,如果主機(jī)再次需要時(shí)可直接從緩沖區(qū)提供,加快速度。讀緩存同樣也可以利用分段技術(shù),存儲(chǔ)多個(gè)互不相干的數(shù)據(jù)塊,緩存多個(gè)已讀數(shù)據(jù),進(jìn)一步提高緩存命中率。
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