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內(nèi)存在電腦中的重要性和地位僅次于CPU,其品質(zhì)的優(yōu)劣對電腦性能有至關(guān)重要的影響。為充分發(fā)揮內(nèi)存的潛能,必須在BIOS設(shè)置中對與內(nèi)存有關(guān)的參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。下面針對目前主流的支持Intel PentiumⅢ、CeleronⅡ處理器的Intel 815E/815EP芯片組主板、VIA(威盛)694X芯片組主板和支持AMD Thunder bird(雷鳥)、Duron(鉆龍)處理器的VIA KT133/133A芯片組主板,介紹如何在 常見的Award BIOS 6.0中優(yōu)化內(nèi)存設(shè)置。對于使用較早芯片組的主板和低版本的Award BIOS,其內(nèi)存設(shè)置項相對要少一些,但本文所介紹的設(shè)置方法同樣是適用的。 Intel 815E/815EP芯片組主板 在這類主板BIOS的Advanced Chipset Features(高級芯片組特性)設(shè)置頁面中一般包含以下內(nèi)存設(shè)置項: Set SDRAM Timing By SPD(根據(jù)SPD確定內(nèi)存時序) 可選項:Disabled,Enabled。SPDSerial Presence Detect )是內(nèi)存條上一個很小的芯片,它存儲了內(nèi)存條的工作參數(shù)信息。如果使用優(yōu)質(zhì)的品牌內(nèi)存,則可以將DRAM Timing By SPD設(shè)置成Enabled,此時,就無需對下面介紹的BIOS內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行設(shè)置了,系統(tǒng)會自動根據(jù)SPD中的數(shù)據(jù)確定內(nèi)存的運(yùn)行參數(shù)。有些兼容內(nèi)存的SPD是空的或者感覺某些品牌內(nèi)存的SPD參數(shù)比較保守,想充分挖掘其潛能,則可以將該參數(shù)設(shè)置成Disabled,這時,就可以對以下的內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行調(diào)整了。 SDRAM CAS Latency Time(內(nèi)存CAS延遲時間) 可選項:2,3。內(nèi)存CAS(Column Address Strobe,列地址選通脈沖)延遲時間控制SDRAM內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執(zhí)行該指令。同時該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘周期數(shù)。這個參數(shù)越小,則內(nèi)存的速度越快。在133MHz頻率下,品質(zhì)一般的兼容內(nèi)存大多只能在CAS=3下運(yùn)行,在CAS=2下運(yùn)行會使系統(tǒng)不穩(wěn)定、丟失數(shù)據(jù)甚至無法啟動。CAS延遲時間是一個非常重要的內(nèi)存參數(shù),對電腦性能的影響比較大,Intel與VIA就PC133內(nèi)存規(guī)范的分歧也與此參數(shù)有關(guān),Intel認(rèn)為PC133內(nèi)存應(yīng)能穩(wěn)定運(yùn)行于133MHz頻率、CAS=2下,而VIA認(rèn)為PC133內(nèi)存能穩(wěn)定運(yùn)行于133MHz頻率即可,并未特別指定CAS值,因此Intel的規(guī)范更加嚴(yán)格,一般只有品牌內(nèi)存才能夠滿足此規(guī)范,所以大家感覺Intel的主板比較挑內(nèi)存。 SDRAM Cycle Time Tras/Trc(內(nèi)存Tras/Trc時鐘周期)可選項:5/7,7/9。該參數(shù)用于確定SDRAM內(nèi)存行激活時間和行周期時間的時鐘周期數(shù)。Tras代表SDRAM行激活時間(Row Active Time),它是為進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸而開啟行單元所需要的時鐘周期數(shù)。Trc代表SDRAM行周期時間(Row Cycle Time),它是包括行單元開啟和行單元刷新在內(nèi)的整個過程所需要的時鐘周期數(shù)。出于 佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為5/7,這時內(nèi)存的速度較快,但有可能出現(xiàn)因行單元開啟時間不足而影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r,在SDRAM內(nèi)存的工作頻率高于100MHz時尤其是這樣,即使是品牌內(nèi)存大多也承受不了如此苛刻的設(shè)置。 SDRAM RAS-TO-CAS Delay(內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間)可選項:2,3。該參數(shù)可以控制SDRAM行地址選通脈沖(RAS,Row Address Strobe)信號與列地址選通脈沖信號之間的延遲。對SDRAM進(jìn)行讀、寫或刷新操作時,需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。出于 佳性能考慮可將該參數(shù)設(shè)為2,如果系統(tǒng)無法穩(wěn)定運(yùn)行則可將該參數(shù)設(shè)為3。(^23030501a^) SDRAM RAS Precharge Time(內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時間)可選項:2,3。該參數(shù)可以控制在進(jìn)行SDRAM刷新操作之前行地址選通脈沖預(yù)充電所需要的時鐘周期數(shù)。將預(yù)充電時間設(shè)為2可以提高SDRAM的性能,但是如果2個時鐘周期的預(yù)充電時間不足,則SDRAM會因無法正常完成刷新操作而不能保持?jǐn)?shù)據(jù)。 Memory Hole At 15M-16M(位于15M~16M的內(nèi)存保留區(qū))可選項: Disabled,Enabled。一些特殊的ISA擴(kuò)展卡的正常工作需要使用位于15M~16M的內(nèi)存區(qū)域,該參數(shù)設(shè)為Enabled就將該內(nèi)存區(qū)域保留給此類ISA擴(kuò)展卡使用。由于PC’99規(guī)范已不再支持ISA擴(kuò)展槽,所以新型的主板一般都沒有ISA插槽,因而應(yīng)將該參數(shù)設(shè)為Disabled。 System Memory Frequency(系統(tǒng)內(nèi)存頻率) 可選項:AUTO、100MHz、133MHz。此項設(shè)置實現(xiàn)內(nèi)存異步運(yùn)行管理功能。AUTO:根據(jù)內(nèi)存的特性自動設(shè)定內(nèi)存的工作頻率;100MHz:將內(nèi)存強(qiáng)制設(shè)定在100MHz頻率下工作;133MHz:將內(nèi)存強(qiáng)制設(shè)定在133MHz頻率下工作。 Memory Parity/ECC Check(內(nèi)存奇偶/ECC校驗)可選項:Disabled,Enabled。如果系統(tǒng)使用了ECC內(nèi)存,可以將該參數(shù)設(shè)為Enabled,否則一定要將該參數(shù)設(shè)成Disabled。ECC表示差錯校驗和糾正(Error Checking and Correction)一般是高檔服務(wù)器內(nèi)存條所具備的功能,這種內(nèi)存條有實現(xiàn)ECC功能的內(nèi)存顆粒,使系統(tǒng)能夠檢測并糾正內(nèi)存中的一位數(shù)據(jù)差錯或者是檢測出兩位數(shù)據(jù)差錯。ECC功能可以提高數(shù)據(jù)的完整性和系統(tǒng)的穩(wěn)定性,這對服務(wù)器尤其重要,但ECC會造成一定的性能損失。
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