用于NMOS的驅(qū)動(dòng)電路圖及工作原理詳解

用于NMOS的驅(qū)動(dòng)電路圖及工作原理詳解

      這個(gè)電路提供了如下的特性：

      1，用低端電壓和PWM驅(qū)動(dòng)高端MOS管。

      2，用小幅度的PWM信號(hào)驅(qū)動(dòng)高gate電壓需求的MOS管。

      3，gate電壓的峰值限制

      4，輸入和輸出的電流限制

      5，通過(guò)使用合適的電阻，可以達(dá)到很低的功耗。

      6，PWM信號(hào)反相。NMOS并不需要這個(gè)特性，可以通過(guò)前置一個(gè)反相器來(lái)解決。

 

      電路圖如下：

 

 
                        圖1 用于NMOS的驅(qū)動(dòng)電路
 

      下面對(duì)NMOS驅(qū)動(dòng)電路原理做一個(gè)簡(jiǎn)單分析：

      Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個(gè)電壓可以是相同的，但是Vl不應(yīng)該超過(guò)Vh。

      Q1和Q2組成了一個(gè)反置的圖騰柱，用來(lái)實(shí)現(xiàn)隔離，同時(shí)確保兩只驅(qū)動(dòng)管Q3和Q4不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通。

      R2和R3提供了PWM電壓基準(zhǔn)，通過(guò)改變這個(gè)基準(zhǔn)，可以讓電路工作在PWM信號(hào)波形比較陡直的位置。

      Q3和Q4用來(lái)提供驅(qū)動(dòng)電流，由于導(dǎo)通的時(shí)候，Q3和Q4相對(duì)Vh和GND 低都只有一個(gè)Vce的壓降，這個(gè)壓降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。

      R5和R6是反饋電阻，用于對(duì)gate電壓進(jìn)行采樣，采樣后的電壓通過(guò)Q5對(duì)Q1和Q2的基極產(chǎn)生一個(gè)強(qiáng)烈的負(fù)反饋，從而把gate電壓限制在一個(gè)有限的數(shù)值。這個(gè)數(shù)值可以通過(guò)R5和R6來(lái)調(diào)節(jié)。

      后，R1提供了對(duì)Q3和Q4的基極電流限制，R4提供了對(duì)MOS管的gate電流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的時(shí)候可以在R4上面并聯(lián)加速電容。

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